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BSM10GD120DN2E3224中文资料

  • 大小：53.27KB
  • 厂家：Infineon
  • 描述：
  • 制造商：Infineon
  • 产品：IGBT Silicon Modules
  • 配置：Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
  • 集电极—射极饱和电压：2.7 V
  • 在25 C的连续集电极电流：15 A
  • 栅极—射极漏泄电流：120 nA
  • 功率耗散：80 W
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：EconoPACK 2
  • 封装：Reel
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：Screw

BSM10GD120DN2E3224供应商

更新时间:2023-01-08 22:26:12
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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  • 上海硅威科技有限公司

  • BSM10GD120DN2E3224

  • 优势

  • 6055

  • Infineon

  • -/22+

  • 全新原装进口 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年

IC热门型号推荐优势：品质保障[放心]、稳定库存[安心]、优质商家[省心] 点击搜索体验
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