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BSM10GD120DN2E3224中文资料

  • 大小:53.27KB
  • 厂家:Infineon
  • 描述:
  • 制造商:Infineon
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.7 V
  • 在25 C的连续集电极电流:15 A
  • 栅极—射极漏泄电流:120 nA
  • 功率耗散:80 W
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:EconoPACK 2
  • 封装:Reel
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 安装风格:Screw

BSM10GD120DN2E3224供应商

更新时间:2023-01-08 22:26:12
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • BSM10GD120DN2E3224

  • 优势
  • 6055

  • Infineon

  • -/22+

  • 全新原装进口 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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